Nonvolatile Memory Design
Magnetic, Resistive, and Phase Change
Edición de la obra Nonvolatile Memory Design
| Autor | Hai Li, Yiran Chen |
|---|---|
| Editorial | Taylor & Francis Group |
| Fecha de publicación | 2017 |
| Idioma | inglés |
| Páginas | 203 |
| ISBN-13 | 9781351834193 |
| Número de Cutter | L693n |